sic長晶公司、碳化矽太極、碳化矽加工在PTT/mobile01評價與討論，在ptt社群跟網路上大家這樣說

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穩晟材料科技對比當前德國、美國、俄羅斯多家企業的碳化矽長晶技術及設備製造廠家，選定與日本廠商共同合作，專注開發昇華法(Phase Vapor Transport, PVT)法製造4~6寸 ...

除了充電器，在碳化矽基板上長氮化鎵的技術（GaN-On-SiC），更能應用在光達、基地台甚至衛星通訊等高階應用，雷達系統公司創未來科技董事長王毓駒 ...

早在2008年就投入第3類半導體，也是台灣最大碳化矽（SiC）晶圓代工廠的漢磊 ... 雙引擎的助攻下，漢磊董事長徐建華表示，第3類半導體占公司總體營收， ...

漢民科技為了發展第三代半導體，成立SiC部門專責研發SiC技術，自行設計長晶爐(6''SiC Furnace)，經過2000℃-2500℃的長時間長晶(SiC Boule) 完成，晶錠開始定位加工(SiC ...

碳化矽基板的生產難度在於長晶的源頭晶種來源就要求相當高的純度、取得困難；另外，長晶的時間相當長且長晶過程監測溫度和製程的難度高，第三則是碳化矽長一根晶棒需 ...

他進一步指出，國內極少公司投入生產碳化矽及氮化鎵晶體，主要是因「晶體生長的技術門檻太高，且需大量時間及經驗」，以目前市面投入生產的公司來說，就因長晶設備及熱 ...

2021年9月23日 — 目前全球碳化矽由美日廠商寡占，其中的關鍵因素之一為美日廠掌握基板料源，而基板的生產中，又以長晶難度最高，以傳統的矽材來說，通常費時約3-4天即 ...

我們代理歐洲市佔第一的德國上市公司PVA TePla的各項設備，包含Cz/Fz單晶矽長晶爐、HTCVD/PVT SiC長晶爐，及擴散焊接爐等特規工業爐，代理德國阿諾德集團(Arnold Gruppe)的 ...

SiC 晶圓的主流尺寸一直是150mm (6吋)，每片晶圓能製造的晶片數量不大， ... 因在長晶的源頭晶種就要求相當高的純度，且後段加工極其困難，SiC功率元件 ...