碳化矽長晶、碳化矽太極、碳化矽加工在PTT/mobile01評價與討論，在ptt社群跟網路上大家這樣說
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碳化矽長晶在碳化矽發展長晶為關鍵，台廠需加快腳步 - TechNews 科技新報的討論與評價
目前全球碳化矽由美日廠商寡占，其中的關鍵因素之一為美日廠掌握基板料源，而基板的生產中，又以長晶難度最高，以傳統的矽材來說，通常費時約3-4天即 ...
碳化矽長晶在全球晶片荒！ 中山大學獨創長晶技術助攻產業升級的討論與評價
國立中山大學晶體研究中心創全國大專校院之先，目前正自行研發晶體生長設備及相關技術，透過2200oC以上的超高溫生長出碳化矽晶體，是目前國內唯一具備生長6至8吋晶圓設備的 ...
碳化矽長晶在第3類半導體晶片怎麼做？基板難在哪？圖解生產流程 - 數位時代的討論與評價
要生產出碳化矽（SiC）單晶（monocrystal或single crystal）基板，須從長晶（生長碳化矽單晶）做起，作法是將碳化矽粉體倒入長晶爐，在高溫且密閉的空間使 ...
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碳化矽長晶在中國大陸廠商8吋碳化矽晶體出爐台廠急起直追拚長晶 - 經濟日報的討論與評價
中國積極布局第三代半導體碳化矽（SiC）基板，晶盛機電日前在官網宣布，12日首顆8吋N型碳化矽晶體出爐，晶坯厚度25mm，直徑214mm，並破解碳化矽元件成本中 ...
碳化矽長晶在《DJ在線》碳化矽晶體生長難業者從長晶爐著手打造的討論與評價
國內碳化矽材料的發展，關鍵段即為長晶製造，也連帶可供應的基板不足，要在長晶有所突破，即要從長晶爐開始著手。環球晶董事長徐秀蘭即表示，化合物 ...
碳化矽長晶在第三代半導體——碳化矽材料之製程與分析 - 電子工程專輯的討論與評價
然而，目前全球SiC晶圓總年產量僅約在40~60萬片，且主流尺寸仍是以6吋晶圓為主，遠不足產業鏈下游基板的需求數量。事實上，生產SiC基板最困難的地方在於長 ...
碳化矽長晶在碳化矽(SiC)長晶與晶圓薄化設備的技術發展趨勢 - IEK產業情報網的討論與評價
然而目前SiC長晶與晶圓薄化(切割、研磨、拋光)效率緩慢，使得目前製作成本居高不下，是SiC產業最關鍵的挑戰之一。因此本文透過觀察國際SiC晶圓領導廠商的動態與佈局，以及 ...
碳化矽長晶在晶盛8吋碳化矽晶體出爐台廠急起直追 - 工商時報的討論與評價
中國晶盛機電日前宣布首顆8吋N型第三代半導體碳化矽晶體出爐，加上全球主要大廠布局8吋碳化矽基板腳步積極、競爭激烈，台廠正急起直追拚8吋碳化矽長晶 ...
碳化矽長晶在《DJ在線》碳化矽晶體生長難業者從長晶爐著手打造的討論與評價
國內碳化矽材料的發展，關鍵段即為長晶製造，也連帶可供應的基板不足，要在長晶有所突破，即要從長晶爐開始著手。環球晶董事長徐秀蘭即表示， ...
碳化矽長晶在GaN,SiC長晶爐|藍寶石晶棒育成裝置 - 慶泰興科技股份有限公司的討論與評價
半導體設備-藍寶石晶棒育成裝置. 日本單結晶長晶裝置（SiC, GaN） NEV-SC200. single-crystal-growth-equipment-1-nev-sc200.jpg. 自動直徑制御裝置AD-C1型